Высококачественный сингл-поликремния солнечные батареи из поликристаллического кремния солнечной сборки ячейка одной чипов Бен Бен Азия Азия Technology Цзянсу развития науки и техники Co., Ltd. рады приветствовать Вас на консультации высокого качества одним поликремния солнечных батарей поликристаллического кремния солнечного сборку клеток однокристальный мейкера Бен Азии Technology высококачественных один поликремния солнечных батарей Компоненты производителя одной поликремния солнечных элементов Бен Азия Технология монокристаллические ячейки предлагают 156 профессиональных производителей хрустальных 156 клеток, 156 клеток предлагаем высококачественные монокристаллические солнечные ячейки производителей цены, солнечных батарей производитель, 190W монокристаллический PV Цены комплектующих, поставка низкая стоимость 190W монокристаллический фотоэлектрических модулей, производители модулей 190W монокристаллический PV, 100W фотоэлектрических панелей на заказ, высокое качество производитель 100W фотоэлектрические панели, специализирующаяся в стоимость фотоэлектрических панелей мощностью 100 Вт, 45 Вт поликристаллических солнечных панели цены, 45W поликристаллического кремния солнечных элементов производители настольные, 45W поликристаллических солнечных панелей предлагают, 70W поликристаллических производителей солнечных панелей, 70W поликристаллических цены солнечные панели, профессиональные фотоэлектрических распределены электростанций, производитель солнечных модулей PV в провинции Цзянсу, Янчжоу солнечная PV цены модуль, солнечные производители PV бренда, Торги распределены фотоэлектрических крыше, солнечная крыша питания распределяется, распределены фотоэлектрические крыше растения цена дома, цена дома из распределенной П.В., семьи распространяется поставщиков PV, дешевой рекламной семье распределенной PV-за процесса диффузии даже с обратной диффузии, в том числе все поверхности кромок пластины неизбежно рассеивается фосфор. Положительный п перехода собирать фотогенерированных электроны к диффузионной области потоков фосфора по краю задней части PN-перехода, и вызвать короткое замыкание. Таким образом, на периферии солнечного элемента должна быть легированный кремний травление, чтобы удалить п перехода край батареи. Технологию травления плазменным обычно используется для завершения этого процесса. Плазменное травление под состояние низкого давления, реакция исходной молекулы в формировании газа возбуждения мощности РЧ CF4, ионизации и плазмы. Плазма состоит из заряженных электронов и ионов, в реакционной камере под газовой электронный удар иона в дополнение, но также поглощать энергию и образуют большое количество реакционноспособных групп. Активные или реакционноспособные группы прибывают SiO2 поверхность за счет диффузии в электрическом поле, где поверхность протравленной с возникновением химических реакций и образованием летучих продуктов реакции от поверхности материала, подлежащего травлению, проведенной с помощью системы вакуумной камеры. В-шестых, отражающий скорость удаления пленочное покрытие просветляющее было 35% поверхности кремния, с тем чтобы уменьшить поверхностное отражение, чтобы улучшить эффективность преобразования батареи, необходимо нанесения слоя нитрида кремния антибликовым пленки. Промышленное производство часто используются при подготовке ПХО оборудования антибликовым фильма. Это ПХО плазменное осаждение повышенной химической пар. Это использование низкой технологии температура плазмы в качестве источника энергии, образец помещают на тлеющего разряда низкого давления на катоде тлеющего разряда, образец нагревают до заданной температуры, а затем пропускают в соответствующем количестве SiH4 реакционной газовой и NH3, газа После серии химических реакций и реакции плазмы, поверхность образца с образованием твердого пленку, которая является пленка нитрида кремния. Как правило, толщина пленки методом химического осаждения из паровой фазы с использованием такой плазме-усиленное осаждение о 70nm. Такая пленка, имеющая толщину оптической функциональности. Отражая использование тонкопленочных принципе интерференции, можно сделать свет значительно снижается батареи тока короткого замыкания и выход есть большая повышение эффективности также значительное улучшение. После семи лет, трафаретная печать солнечных батарей через текстурирования, диффузии и PECVD процессов, сделала переход PN, может производить ток в свете, для того, чтобы экспортировать текущие будет генерироваться на поверхности батареи нужно производить положительные и отрицательные два электрода , Многие способы получения электрода и изготовление трафаретной печати является наиболее распространенным типом солнечных элементов электродов производственного процесса. Трафаретная печать это метод с использованием заранее заданного тисненый рисунок, напечатанный на подложке, устройство от батареи обратно-поверхность печатной пасты серебра алюминий, алюминиевые вставки напечатан на обратной стороне батареи и батарейного положительного серебра печати из трех частей. Его принцип работы: использование графического части сетчатого экрана через суспензию, с помощью шпателя оказывать определенное давление сайт суспензии в экране во время движения по направлению к другому концу части экрана. Чернила выдавливают из скребка части рисунка сетки в движение к подложке. Поскольку вязкость суспензии, так что роль отпечатаны фиксированной в пределах определенного диапазона, печать, трафаретная печать ракель всегда линейные и подложки в контакт с лезвием подвижного контакта перемещении линии, тем самым завершая инсульт печати.